GeSeTe阈值开关材料

400°C退火后仍稳定

高Ge含量的GeSeTe通过增强共价键网络，让阈值开关在高温退火后仍能保持超低漏电和纳秒开关速度，解决了存储选通器件的热稳定性难题。

王灏天 · Cheng, Xuli · Wang, Yuhao · Dai, Rong · Yingtao, Yang · 学院 · 宋志棠 · Song, Sannnian · 田丽君 · 任伟

ACS Applied Materials & Interfaces 2026

参数信息

漏电流

10 A

开关速度

10 ns

循环寿命

10 cycles

存储窗口

0.9 V

技术优势

高温退火后仍耐用

400°C退火后仍能承受超过10⁸次开关循环，满足后端工艺热预算要求。

漏电流极低

漏电流约10⁻⁹ A，可降低待机功耗并提高阵列可靠性。

开关速度纳秒级

开关时间约10 ns，适合高速存储操作。

存储窗口稳定

GeSeTe基SOM单元实现0.9 V存储窗口，支持稳定读写。

应用场景

• 3D堆叠存储器：高温退火后仍稳定，符合3D堆叠工艺热预算要求。
• 选择器：超低漏电与高速开关使选择器能准确访问目标单元。
• 阈值开关：稳定的阈值开关特性确保器件在多次循环中可靠工作。
• SOM单元：0.9V存储窗口支持稳定读写，适合高密度存储器。