离子拥挤效应
采用单晶纳米片，有望将忆阻器缩小到30纳米并提升集成密度。
Weili, Liu · 王昊天 · Yang, Shuai · Li, Jing · Li, Jianliang · 骆英民 · 王朝 · 徐姣 · 迟耀丹 · 杨一鸣
Advanced Science 2026
采用单晶CsPbBr3纳米片作为活性层，消除了多晶膜中晶界对离子迁移的干扰，使器件在30纳米尺度仍能稳定开关。
在关键尺寸缩至30纳米后，器件呈现方向依赖的开关行为，可通过对电极几何的定向设计来调控阻变特性，为高密度集成提供新的可控维度。
缩小电极后电场在边缘显著增强，改变离子输运与分布，形成凸起/凹陷等形貌变化，为理解纳米尺度离子动力学提供了直接实验证据。