保留时间提升1000倍
MoS₂写入管低漏电与Si读取管高驱动结合，兼顾长保留时间与逻辑兼容。
Xiao, Kai · 万景 · Xie, Hui · Yuxuan, Zhu · 田甜 · Zhang, Wei · Yingxin, Chen · Jinshu, Zhang · 周丽绘 · 戴升 · 包文中 · 周鹏
Nature Communications 2024
MoS₂写入管的关态电流极低，直接抑制存储节点漏电，相比全Si或全MoS₂增益单元保留时间提升三个数量级。
Si读取管提供高驱动电流，使读电流裕度达到35 μA/μm，比全MoS₂对照高100倍，读操作更可靠。
MoS₂可以后道集成在Si上方，不占用前道晶体管面积，使单位面积存储容量翻倍。
器件栅延迟小，访问速度5 ns，适用于高性能处理器的高速缓存。