金刚石凝胶抛光片

固相芬顿增效

通过固相芬顿反应原位生成羟基自由基，将SiC表面转化为易去除的软质非晶氧化层，实现高效率超光滑抛光。

Lanxing, Xu · Feng, Kaiping · Liang, Zhao · Yanzhang, Gu · Zhao, Tianchen · Lyu, Binghai

Journal of Materials Processing Technology 2024

参数信息

材料去除率

1.42 μm/h

材料去除率提升幅度

51.1 %

技术优势

去除率更高

固相芬顿反应生成的羟基自由基打断Si-C和Si-Si键，形成软质非晶氧化层，使得材料去除率达到1.42 μm/h，比无S/F的凝胶片提高51.1%。

表面质量更优

与不含S/F的凝胶片相比，使用SG-S/F抛光片加工的SiC晶圆表面质量更优。

应用场景

• SiC晶圆抛光：替代CMP中低效的传统抛光垫，大幅缩短加工时间。
• 碳化硅衬底加工：在衬底减薄和表面平坦化中实现高效超光滑加工。
• 宽禁带半导体制造：为后续器件制造提供低成本、高质量的晶圆表面。
• 精密抛光工具：以固相芬顿反应增强抛光工具的材料去除能力。