激光氧化掩模光栅

超高深宽比无缺陷

结合飞秒激光诱导周期性氧化与ICP刻蚀，实现硅材料上无缺陷、深宽比可调的超高深宽比光栅结构。

Chenyong, Li · 王文君 · 潘爱飞 · 梅雪松 · Bin, Liu · 崔健磊 · 赵万芹

Journal of Materials Processing Technology 2026

具体参数

最大刻蚀深度

{'zh': '1730', 'en': '1730'} nm

最大深宽比

{'zh': '7.86', 'en': '7.86'}

氧化层厚度

{'zh': '1.03-2.63', 'en': '1.03-2.63'} µm

技术优势

缺陷层被去除

ICP刻蚀有效地去除了激光诱导的缺陷层，从而获得无缺陷的结构。

深度可调

通过控制氧化层厚度和刻蚀条件，光栅深度可以调节，最大达到1730 nm。

深宽比超高

在最大深度1730 nm处实现了7.86的超高深宽比。

应用场景

• 微纳光栅制造：直接制备无缺陷的硅基光栅结构，用于光学器件。
• 深硅刻蚀：实现高深宽比硅刻蚀，无需额外掩模。
• 高深宽比结构加工：加工超高深宽比结构，深度可调。