侧蚀法柔性透明铜电路

线宽 2.4 μm

一反常规利用侧蚀现象,实现了远超掩模分辨率的高密度铜基电路制造。

Houchao, Zhang · Junjie, Liu · 朱晓阳 · Youchao, Zhang · Li H. · Li, Zhenghao · Rui, Wang · 张广明 · 兰红波

Journal of Manufacturing Processes 2024

具体参数

最小线宽
{'zh': '2.4', 'en': '2.4'} μm
最小线距
{'zh': '4', 'en': '4'} μm
电阻率
{'zh': '4 × 10<sup>−6</sup>', 'en': '4 × 10<sup>−6</sup>'} Ω·cm
方阻
{'zh': '3.58', 'en': '3.58'} Ω/sq
透光率
{'zh': '87.65', 'en': '87.65'} %
最低检测浓度
{'zh': '1', 'en': '1'} nmol/L

技术优势

线宽突破掩模限制

EFD微喷印掩模的分辨率通常在数十微米级,侧蚀工艺可在掩模开口基础上进一步减细线条,最终实现2.4 μm线宽。

高透光率下保持导电

在含基板透光率高达87.65%时,方阻仍低至3.58 Ω/sq,兼顾光学透过与电学性能。

高灵敏离子检测

所制叉指电极在100–10,000 Hz频率下,最低可检测1 nmol/L稀硫酸浓度变化,灵敏度优异。

应用场景