GST超晶格相变层

局部熔融可控

一种GeTe/Sb2Te3超晶格相变材料，其独特的部分熔融机制使熔融区域可空间局域化，为低功耗相变存储器提供关键材料。

Wang, Baiqian · Tianyu, Zhao · Huan-Ran, Ding · Liu, Yuting · 陈念科 · Meng, Niu · Xiao-Dong, Li · Xu, Ming · 孙宏波 · Zhang, Shengbai · 李贤斌

Acta Materialia 2024

技术优势

熔融可局域

熔融区域在GST超晶格中可以空间局域化，形成部分熔融，并且易于控制。

原子级见解

大规模MLIP-MD提供了传统DFT-MD难以实现的GST超晶格相变行为的临界原子级见解。

更化学有序

GST超晶格中熔融后的原子分布比岩盐相GST更化学有序，有助于解释其工作机制。

应用场景

• 相变存储器：提供低功耗开关的关键材料机制，加速应用。
• 低功耗存储器：通过部分熔融降低功耗，解决高功耗瓶颈。
• 存储级内存：空间局域熔融实现精细编程，提升存储级性能。
• 神经形态计算：模拟突触可塑性，部分熔融特性支持低功耗突触器件。