AlN/Al₂O₃双层阻变存储

耐久性提升23倍

插入Al₂O₃薄层精准控制导电细丝断裂位置，实现更稳定的阻变开关，满足非易失性存储的严苛要求。

Jinshan, He · 段小玲 · Wang, Dong · Jiangcheng, Wu · 刘志宏 · 张涛 · 74227950 · 张进成

Applied Physics Letters 2025

具体参数

耐久性

{'zh': '2791', 'en': '2791'} cycles

最大开关比

{'zh': '10⁸', 'en': '10⁸'}

技术优势

耐久性提升23倍

插入的Al₂O₃薄层能够精确控制导电细丝断裂位置，使开关循环次数从122次增加到2791次。

开关比提升三个数量级

最大开关比从10⁵提高到10⁸，更高的窗口使存储状态更容易区分，提高读取可靠性。

开关稳定性更好

Al₂O₃层对导电细丝断裂位置的空间调控使阻变行为更加稳定，满足非易失性存储的关键要求。

应用场景

• 非易失性存储器：直接替代现有非易失性存储器中的阻变单元，提高耐久性和开关比。
• 阻变存储器：用于阻变存储器中，通过Al₂O₃插层控制导电细丝断裂位置，提升开关稳定性。
• 微纳存储器制造：该双层结构可通过标准的微纳加工工艺制造，可直接集成到现有存储器生产线。
• 嵌入式存储：为嵌入式存储提供更稳定、更高开关比的阻变存储元件，提升系统可靠性。