p/CuO-n/ZnO双层存储单元

光电响应与稳定性兼得

基于p-n结内建电场与有序氧空位迁移，在保持可靠存储性能的同时实现紫外光可控电阻开关。

Xiang, Luo · Ping, He · Jiahao, Zhang · Zheng, Honglong · 任先培 · Ling, Fang · JianBo, Yang · Yuanping, Liu · Rui, Wen · Li, Qiang

Materials Science in Semiconductor Processing 2025

具体参数

response under UV

{'zh': '', 'en': '365'} nm

技术优势

保持性更好

p-n结内建电场稳定了载流子动力学，抑制了细丝随机断裂，10⁴秒后仍能保持稳定阻态。

耐擦写

界面有序的氧空位迁移减少了细丝的随机形成，器件能承受更多次数的切换循环。

光能控开关

365 nm紫外光照下I-V曲线发生显著变化，使该器件可被光信号调控，拓展了应用场景。

应用场景

• 光电存储器：实现光信号直接写入存储数据，有望替代传统电擦写存储器。
• 忆阻器：提供稳定的双极阻变特性，可集成到交叉阵列实现高密度存储。
• 紫外探测：365 nm紫外光照显著改变其导电状态，可构造紫外敏感开关。
• 微纳光电器件：光控阻变特性使其能缩小器件尺寸，简化片上光互连设计。