p-GaN栅HEMT

正栅偏压快恢复

采用具有足够高栅漏电流的p-GaN栅结构，可在栅极开启后快速恢复漏极应力引起的阈值电压漂移，避免实际应用中的不稳定工作。

Favero D. · De Santi, Carlo · Nardo, Arianna · Dixit A. · Vanmeerbeek, Piet · Stockman, Arno · Tack, Marnix R. · Meneghesso, Gaudenzio · Zanoni, Enrico · Meneghini, Matteo

Applied Physics Express 2024

技术优势

开启即恢复

栅极一开启，高栅漏电流即可快速消除漏应力造成的阈值漂移，无需外部干预。

无需复杂驱动

恢复所需的正栅偏压就在正常导通电压范围内，不必设计专门恢复周期或额外电路。

栅漏电流有功

本文通过不同电压和相同空穴注入速率的实验证实，栅漏电流对恢复起决定性作用。

应用场景

• 功率半导体器件：用于电源开关，避免阈值漂移导致误动作。
• 氮化镓功率器件：利用高栅漏电流实现快速恢复，增强器件可靠性。
• 高电子迁移率晶体管：在HEMT中直接集成恢复机制，无需外接元件。
• 功率转换系统：减少因阈值漂移造成的转换效率损失和停机。
• 电源管理：简化功率管理中的驱动和保护电路设计。