铥氮氧化物钝化层

漏电流密度更低

双级退火增强氮掺入，减少氧空位，界面质量显著提升。

Deng, Junchen · 陈建宏 · Quah, Hock Jin

ACS Omega 2026

参数信息

介电常数

13.1

慢陷阱密度

4.24 × 10¹¹ cm⁻²

界面 SiO₂ 层厚度

2.422 nm

技术优势

界面 SiO₂ 更薄

氮离子在界面处积累，抑制了 SiO₂ 过渡层的生长，从而使界面层厚度降至 2.422 nm。

慢陷阱密度更低

双级退火引入的氮钝化了缺陷位点，使慢陷阱密度降至 4.24 × 10¹¹ cm⁻²，有利于提高器件稳定性。

漏电流更低

界面质量改善使漏电流密度降低，有助于减小器件关态功耗。

应用场景

• SiC MOSFET：用作栅介质钝化层，降低界面态和漏电，提升器件可靠性。
• 电力电子器件：改善功率器件绝缘性能，减小漏电损耗。
• 宽禁带半导体：为 SiC 等宽禁带半导体提供高质量介质钝化。
• 高 k 介质：提供 k=13.1 的高介电常数介质，增强栅控能力。