片上阵列结温监测 GaN HEMT

在 GaN HEMT 器件表面集成热敏电阻阵列，实时感知多点温度，反映工作热分布。

Chang, Yukuan · Su, Yue · 张许 · 陈弘达

Micromachines 2025

参数信息

电阻温度系数

0.183 %/°C

监测精度

95 %

技术优势

无需热像仪

器件表面集成监测单元，可在工作状态下实时捕获多点温度，摆脱对昂贵外部设备的依赖。

精度高于热像仪

与热像仪对比，监测精度超过 95%，可更准确地反映器件的瞬时温度。

应用场景

• 功率器件热管理：实时热分布数据可用于优化 GaN 器件的散热设计与可靠性评估。
• 功率模块结温监测：片上阵列可多点监测工作结温，帮助提升功率模块的长期可靠性。
• 电子器件温度表征：提供器件表面的原位温度表征，反映高频高功率密度下的真实热行为。