三段δ掺杂GaAs pHEMT

关态耐压提升59%

在不改变器件几何与材料的前提下,通过横向δ掺杂再分布缓解栅漏电场拥挤,为高功率射频应用提供更耐压的晶体管设计。

魏金成 · 徐进 · 杨健 · Qi, Jiang

Scientific Reports 2026

参数信息

Vcrit
11.99 V
最大增加
45.4 %
工作点下渡越频率最大下降
11.7 %