原位GaN钝化HEMT

B-FOM提升494%

通过原位GaN钝化同时提升击穿电压并降低导通电阻，在改善动态导通电阻鲁棒性的同时实现更低的功率损耗。

Cheng, Yu · 陈万军 · Ding, Guojian · Wang, Fangzhou · 汪卓成 · Xiaoming, Wang · 邓小川 · 孙瑞泽 · Wang, Yang · 贾海强 · 陈弘 · 张波

IEEE Electron Device Letters 2025

参数信息

巴利加优值提升
494 %

技术优势

击穿电压与导通电阻同步优化

高阻原位GaN钝化层均匀化表面电势，关态时电场更均匀，开态时2DEG密度提高，从而同时提升击穿电压并降低导通电阻。

动态导通电阻更稳健

原位钝化模式有效抑制界面热电子轰击，显著增强动态导通电阻的鲁棒性，提升器件在开关应力下的可靠性。

应用场景