功率密度5.3 W/cm³
采用半调节母线架构,实现高效率与高功率密度权衡。
Liu, Qianshi · Qianqian, Du · 李海津 · Zhu, Liying · 刘志刚 · Zhang, Xiaofeng · 徐国宁
IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers 2024
通过支路合并复用精简拓扑,减少元件数量,从而降低整体重量。
采用 GaN HEMT 降低开关损耗,实现 92.8% 的效率。
高频运行和紧凑拓扑使功率密度达到 5.291 W/cm³。