AlN/GaN异质结

Ga辅助生长更优

与常规Al辅助生长相比，Ga辅助分子束外延生长的AlN/GaN异质结具有更高的晶体质量、更优的界面和表面形貌，从而带来更好的电学性能。

杨眉 · Haibin, Ye · Yasen, Wang · Jiongqi, Lu · Weiyu, Ren · Li, Yifan · 张鹏 · 杨凌 · 朱青 · Nuanyang, Cui · Chen, Li · 习鹤 · 宓珉瀚 · 祝杰杰 · 马晓华 · 74227950

Journal of Alloys and Compounds 2024

技术优势

晶体质量更高

Ga辅助生长获得赝晶AlN，缺陷密度低，避免了Al辅助生长中的部分弛豫。

界面更优

Ga辅助生长的AlN/GaN界面质量优异，优于Al辅助生长的劣化界面。

表面更平整

Ga辅助生长获得规则完整的原子台阶表面，而Al辅助生长表面存在不规则截断台阶。

电学性能更好

Ga辅助生长的样品电学性能更优，归因于更高的晶体质量和界面质量。

应用场景