Al/MoS₂/Poly-Si忆阻器

晶圆级制备

一种与硅工艺兼容的晶圆级二维材料忆阻器，采用Al/MoS2/Poly-Si结构，无需转移工艺和贵金属电极，为高密度存储提供新选择。

Kuan-Sheng, Li · Huang, Minkun · Wang, Yeong-Her · Tseng, Yuanchieh · Su, Chunjung

ACS Applied Electronic Materials 2023

参数信息

耐久性

> 1 × 10³ 次

技术优势

ON/OFF比 1 × 10⁴

保持时间 ≥ 10⁴ 秒