单晶MoS₂

厘米级无晶界

采用二维直拉法生长的单晶MoS₂，消除了晶界拼接的缺陷，实现了超高均匀性和低缺陷密度。

江河 · 张先坤 · Chen, Kuanglei · Xiaoyu, He · Liu, Yihe · Yu, Huihui · Gao, Li · Hong, Mengyu · Wang, Yunan · 张铮 · 张跃

Nature Materials 2025

参数信息

单晶尺寸

1 cm

技术优势

不用拼接

直接生长厘米级单晶，不存在拼接区域的晶格错位和高缺陷密度。

均匀性极高

单晶具有超高均匀性和高质量，超低缺陷密度。

器件稳定

用该材料制备的场效应晶体管，良率高，迁移率变化小。

应用场景

• 二维半导体器件：提供厘米级无晶界单晶，直接用于器件制备。
• 下一代集成电路：批量制备高质量二维半导体材料，满足IC需求。
• 二维材料：提供制造高质量、可扩展二维材料的通用方法。
• 晶体管：基于该单晶的FET良率高、迁移率一致。
• 存储器件：均匀的二维材料提高存储器件一致性。