高纯高导
采用新型前驱体组合在60–80 °C下实现高纯锑薄膜的原子层沉积，电导率优于已有ALD锑薄膜。
He, Shiyang · Bahrami, Amin · 张勋 · Julin, Jaakko · Laitinen, Mikko I. · Nielsch, Kornelius
Materials Today Chemistry 2023
60–80 °C 即可沉积，有利于对温度敏感的基底和器件集成。
XRD 和拉曼证实为高纯 Sb 相，避免氧化相劣化电学性能。
电导率略高于此前报道的 Sb-ALD 薄膜。