稀土-硫表面改性SiC陶瓷

吸收峰移至C波段

通过表面化学键演化延长极化弛豫时间，将电磁波吸收峰从Ku波段调控至C波段，且高温退火后仍保持强吸收。

Zhanming, Wu · 曾小军 · Xie, Nuohua · 高彦峰

Advanced Science 2026

具体参数

最小反射损耗

-60.08 dB

退火后反射损耗

-54.46 dB

技术优势

吸收峰低频化

表面化学键从Si─O演化为RE─O，将快弛豫偶极子转变为慢弛豫偶极子，从而延长极化弛豫时间，吸收峰从Ku波段红移至C波段。

高温仍强吸收

500 °C退火后，反射损耗仍保持-54.46 dB，表明该材料在高温处理后仍具有强吸收能力。

通用性强

该策略适用于La、Ce、Pr、Sm、Gd、Er多种稀土元素，为材料设计提供了灵活性。

应用场景

• 雷达隐身涂层：吸收峰在C波段，可直接用于雷达隐身涂层，减少目标RCS。
• 极端环境电磁屏蔽：耐高温、耐腐蚀、抗氧化，适用于极端环境的电磁屏蔽。
• 高温吸波陶瓷：500 °C退火后仍保持强吸收，可用作高温吸波陶瓷。
• 低频电磁波吸收体：实现C波段低频吸收，填补低频吸收剂需求。