硫化BiFeO₃薄膜

双开关特性

通过阴离子工程在低硫掺量下重构极化构型，赋予薄膜有别于本征铁电体的独特双开关响应。

Hangren, Li · Jie, Tu · Zha, Jiajia · Huang, Haoxin · Wang, Xiongfeng · Zhao, Xiaojing Jin · 廖武刚 · 张林兴

Small 2026

参数信息

硫化学计量

<3 %

技术优势

低掺杂量即可生效

硫化学计量低于3%即可实现双开关特性，无需大量掺杂，降低了工艺难度。

增强畴异质性

硫化显著增强畴异质性，重塑局部极化构型，为双开关行为提供结构基础。

应用场景

• 铁电存储器：利用多级极化状态实现多位存储。
• 拓扑电子器件：通过重构极化构型调控拓扑电子态。