α-In2Se3反铁电隧道结

电流开关比426

利用通道层反铁电-铁电相变调控势垒高度，实现高电流开关比和逻辑功能，为存算一体提供新途径。

Lingxue, Zhang · Jiaxin, Zhang · Yuxuan, Sun · 李威 · Quhe, Ruge Ge

Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures 2025

参数信息

电流比

426

技术优势

电流开关比高

反铁电相与铁电相之间势垒高度差异显著，使隧穿电流相差可高达426倍，确保两种存储态易于区分。

存储与逻辑可集成

将两个隧道结构成一个计算单元，电流可完全导通/关断，或实现XNOR逻辑，从而在同一器件中融合存储与计算功能。

应用场景

• 新型非易失存储器：利用相变切换存储态，实现高开关比非易失存储。
• 存算一体芯片：同一器件内集成逻辑运算，减少数据传输。
• 低维电子器件：基于二维材料实现超薄隧道结器件。