SiO₂掺杂ZnO压敏电阻

提高界面态密度与势垒

通过SiO₂掺杂调控晶界相组成，同时提高非线性系数并降低漏电流，实现更优的过压保护性能。

黄小龙 · Guangxu, Pan · Li, Jiaqi · Zhu, Dachuang Chuan · Yan, Qun

Ceramics International 2023

参数信息

击穿场强

982.7 V/mm

漏电流密度

0.4 μA/cm²

掺杂量

1.0 mol% SiO

技术优势

非线性系数：74.0