织构PIN-PMN-PT陶瓷

近零平面泊松比

晶粒沿<001>取向的钙钛矿压电陶瓷，平面泊松比可低至负值，明显区别于普通陶瓷的0.3–0.4。

杨帅 · Jinjing, Zhang · Qiu, Chaorui · Qiao, Liao · Liu, Jinfeng · Wang, Mingwen · Jie, Wu · 李景雷 · 李纯纯 · 高翔宇 · 李飞

Journal of the European Ceramic Society 2023

具体参数

平面泊松比

{'zh': '-0.05–0.1', 'en': '-0.05–0.1'}

技术优势

平面泊松比大幅降低

织构陶瓷的平面泊松比低至-0.05，远低于非织构的0.3–0.4，可抑制横向形变，提升器件稳定性。

某些取向出现负泊松比

当x轴沿<110>方向时泊松比最低甚至为负，这种拉胀行为可带来独特的力学响应，适合特殊传感器或柔性结构。

应用场景

• 压电执行器：利用近零泊松比抑制横向形变，提升位移输出精度。
• 微机电系统：各向异性泊松比可调节微结构力学响应，优化谐振特性。
• 柔性电子：负泊松比区域可增强柔性基底抗撕裂能力，延长弯折寿命。