液态金属镓修饰氮化硼纳米片

桥接声子减界面散射

利用镓与氮的配位在氮化硼纳米片间构筑化学键，形成声子桥，同时促进致密化和水平取向，使聚合物复合材料获得高导热。

Songfeng, E. · Zhangzi, Li · Yuan, Wang · Nan, Li · Linfang, Yang · Ling, Zhang · 陆赵情 · Lulu, Yang · 王乐佳

Applied Surface Science 2026

具体参数

面内热导率

{'zh': '28.99', 'en': '28.99'} W·m⁻¹·K⁻¹

技术优势

界面声子散射大幅降低

Ga-N配位在BN纳米片间形成化学键，桥接晶格振动，减少界面热阻。

导热率提升一个数量级

BNNS-Ga/聚合物复合材料的面内热导率达28.99 W·m⁻¹·K⁻¹，远超普通BN/聚合物复合材料。

无需表面活性剂或共价修饰

利用镓的流动性及其与氮的配位作用即可完成剥离和改性，过程简单。

应用场景

• 聚合物导热复合材料：粉体可直接与聚合物基体复合，提高整体导热性能。
• 柔性热管理材料：复合材料可制成柔性导热膜，用于柔性电子散热。
• 电子封装散热：高面内导热率有助于芯片封装中的热量扩散。
• 电池热管理：可制成导热垫片或灌封材料，均匀导出电池热量。