电化学剥离InGaN/GaN微LED阵列

低成本剥离，表面粗糙度低

通过优化的电化学外延剥离工艺，获得表面粗糙度低的独立微LED阵列薄膜，便于后续沉积电极与键合，实现低接触电阻和良好电流扩展。

Wenfeng, Li · Peishan, Li · Shujia, Wang · Zexin, Dong · Yang, Yuqing · He, Chenguang · Wang, Qiao · 陈志涛 · Zhang, Kang · 王幸福

Journal of Materials Chemistry C 2025

参数信息

开启电压

2.38 V

on the order

5 V

技术优势

理想因子n=1.16

3×3微LED阵列薄膜n-GaN表面粗糙度低