微显示单片集成
通过原位掺入FABr的晶格工程抑制RP缺陷，实现均匀电场分布和低效率滚降，同时兼容纳米级保形沉积。
Shen, Zixi · Yan, Shuwen · Hongyi, Xie · 张祥 · JingShu, Zhang · 刘征征 · 李磊 · 王剑波 · 杜鹃 · 李露颖 · Mohd Yusoff Abd Rashid Bin · 唐江
Science Advances 2026
通过原位掺入FABr的晶格工程抑制纳米晶内Ruddlesden-Popper缺陷，实现均匀电场分布，减少电荷积累，从而抑制俄歇复合。
均匀的电场分布和抑制的俄歇复合使器件在高亮度下仍保持高效率，减轻效率滚降。
通过工艺和器件优化，在CMOS驱动像素坑表面实现纳米级保形沉积，支持高分辨率微显示器。