F4-TCNQ/Al/BPhen:Li电子注入层

极低电压高光效

通过p型/超薄金属/n掺杂的三层复合结构，显著增强了倒置底部OLED的电子注入能力，突破了此类器件长期缺乏有效注入策略的瓶颈。

Lei, Ding · Wang, Jiangnan · Ni, Ting · Xue Qifan · Hu, Sujuan · Runfeng, Wu · 罗东向 · Zheng, Hua · Yuan, Liu · Liu, Baiquan

Journal of Materials Chemistry C 2023

具体参数

驱动电压

2.97 V

功率效率

84.9 lm W⁻¹

技术优势

功耗大幅降低

极低驱动电压意味着输出相同亮度所需的电功率更少，特别适合便携显示设备。

效率创新高

在100 cd m⁻²下功率效率高达84.9 lm W⁻¹，是同类结构最佳水平。

稳定性增强

铝膜更佳的成膜性降低了表面粗糙度，从而改善器件稳定性。

应用场景

• 倒置OLED：为倒置结构提供高效电子注入，降低驱动电压提升器件性能。
• 高效OLED：显著提升功率效率至84.9 lm W⁻¹，满足高光效需求。
• 低功耗显示：极低驱动电压直接减少显示面板功耗，延长续航。