B‒N共价键融合萘衍生物

零多重共振仍窄带

利用B‑萘‑B共轭与抑制高频振动,实现不需多重共振结构即可窄带发光的黄光发射体。

He, Renze · Wang, Qi · Shuai, Xiao · Wanting, Ju · Han, Si · Chen, Xian · 张东东 · 丁军桥

Advanced Materials 2025

参数信息

功率效率
101.4 lm W⁻¹
CIE色坐标
(0.342, 0.542)
CIE色坐标
(0.334, 0.342)

技术优势

无需MR结构

摆脱了对多重共振骨架的依赖,简化合成路线的同时保持窄带发射。

发射谱带收窄

通过B-萘-B共轭和抑制高频振动,降低了发射峰的半高全宽,提升色纯度。

黄光量子产率高

新型发射体BN-nap2和BN-nap3的光致发光量子产率得到提升,有利于高效电致发光。

白光电致发光效率破纪录

基于此类发射体的暖白器件在1000 cd/m²下功率效率达101.4 lm/W,为已报道最高值。

应用场景