极性BCP电子传输层

基板温控抑制低偏压效率损失

通过调制BCP层自发取向极化，减少界面电荷积累，将复合区移向发光层中心，从而缓解激子-极化子猝灭，提升器件效率。

Lü, Zhaoyue · Wei, Jiang · Sinuo, Xu · Wang, Junling · 肖静

Synthetic Metals 2026

技术优势

基板温度65–80°C为BCP沉积的最佳范围

85°C基板温度导致下层功能层产生非发光物种，效率下降

较高基板温度抑制自发取向极化