Mg穿透ETL注入方法

开启电压低至2.4V

通过控制镁原子穿透电子传输层产生缺陷能级，实现高效电子注入，无需掺杂即可获得极低开启电压和可忽略的效率滚降。

Chen, Jing · Jingjing, Wang · Jun-Hong, Liu · Bo, Wang · Teng, Peng · 73999654 · 73999655 · 77899357 · 朱洪强 · Yun, Liu · Chen, Qiusong · 陈晓莉 · 熊祖洪

Advanced Functional Materials 2025

具体参数

开启电压

{'zh': '2.4', 'en': '2.4'} V

开启电压

{'zh': '2.7', 'en': '2.7'} V

亮度

{'zh': '116611', 'en': '116611'} cd m⁻²

效率滚降

{'zh': '12.7', 'en': '12.7'} %

低驱动电压

{'zh': '3', 'en': '3'} V

低温

{'zh': '225', 'en': '225'} K

技术优势

开启电压极低

未掺杂器件开启电压仅2.4 V，为同类器件最低值；掺杂器件也仅2.7 V，意味着更低的能耗和驱动要求。

效率滚降可忽略

掺杂器件效率滚降从常规LiF/Al电极的51.8%降至12.7%，亮度提升2.7倍，高压下仍保持高效。

低温高压均有效

在3 V低驱动电压和225 K低温下，高效电子注入仍能保持，克服了传统器件对电场和温度的依赖。

可替代LiF/Al电极

用Mg/Ag电极替代常用的LiF/Al电极，无需掺杂即可实现同样或更好的注入效果，简化器件结构。

应用场景

• OLED显示：降低驱动电压和能耗，提升面板能效与寿命。
• OLED照明：高亮度下效率滚降小，适合大面积高亮度照明。
• 柔性OLED：低开启电压减少对柔性衬底的热和电场应力。
• 柔性显示：低温高效注入支持柔性显示在各种环境稳定工作。
• 低温电子器件：225 K下仍保持高效电子注入，适用于低温环境。