高熵BNT-ST-KNN陶瓷

中电场储能增强

通过构型熵增策略，在中等电场下实现高储能密度和高效率，性能优于低熵同类。

程丽乾 · Zhiping, Wang · Xin, Li · Pengcheng, Wang · Qingna, Li · Yue, Wang · 蔡卫滨

Ceramics International 2026

具体参数

可回收能量密度

{'zh': '5.3', 'en': '5.3'} J/cm3

构型熵变化

{'zh': '1.09, 1.56, 1.78, 1.84', 'en': '1.09, 1.56, 1.78, 1.84'} R

储能密度提升

{'zh': '76', 'en': '76'} %

技术优势

储能密度提升约76%

构型熵从1.09R增加到1.84R后，储能密度达到5.3 J/cm³，比低熵样品高出约76%。

效率达83%

高熵样品在获得高储能密度的同时，效率保持在83%，有利于降低充放电过程中的能量损耗。

频温和充放电稳定

样品表现出良好的频率稳定性、温度稳定性和热稳定的充放电性能，适合实际工况。

增强击穿场强

高熵策略带来的强多重局域畸变和增强的击穿场强是性能提升的机制。

应用场景

• 脉冲功率电容器：用作脉冲功率电容器的介质层，中等电场下提供高能量密度。
• 介电陶瓷储能：作为无铅介电陶瓷，兼顾高储能密度和83%效率。