AlN压电MEMS超声换能器阵列

用MIS工艺在(111)硅片上制成无疤六边形空腔，换能器Q值达251、位移灵敏度18.49 nm/V，适合IC兼容量产。

Wang, Yunhao · 吴胜 · 吴涛 · 李昕欣

Micromachines 2024

参数信息

位移灵敏度

18.49 nm/V

谐振频率范围

6.28 MHz

技术优势

品质因数最高251