热释电光电导二极管

深紫外探测超灵敏

通过界面热释电效应与光电导效应耦合，突破宽禁带半导体探测器深能级陷阱导致的灵敏度与速度瓶颈，实现高灵敏高速深紫外探测。

侯小虎 · 刘燕 · Bai, Shiyu · Yu, Shunjie · Huang, Hong · Yang, Kai · 陈力 · 赵晓龙 · Zhou, Xuanze · 徐光伟 · Long, Shingbing

Advanced Materials 2024

参数信息

响应度

10⁴ A/W

响应速度提升倍数

10⁵

技术优势

响应速度提升10⁵倍

通过界面热释电效应，在耗尽区产生极化电场，加速光生载流子分离，显著缩短响应时间。

深紫外响应度达10⁴ A/W

基于PGR-GaOX肖特基光电二极管，结合光电导效应与热释电效应，实现对深紫外光的超高响应。

X射线灵敏度达10⁵ μC·Gy⁻¹·cm⁻²

对X射线具有超高灵敏度，适用于高能光子探测。

可用于成像增强系统

低功耗、高灵敏度的成像增强系统已展示其潜力。

应用场景

• 深紫外探测器：用高响应度探测深紫外光，提升探测灵敏度。
• X射线探测：用超高灵敏度探测X射线，用于高能光子探测。
• 光电器件：将热释电与光电导效应集成在肖特基二极管中，实现快速光电器件。
• 高能光子探测：同时具备高灵敏度和快响应，适合高能光子探测。