FASnI3准单晶厚膜

低缺陷高迁移率

一种通过晶种辅助空间受限策略生长的致密FASnI3准单晶厚膜，可作为高性能锡基光电器件的光活性层。

高蔚茵 · Liu, Xin · Hangfan, Jin · Wangyue, Li · Wang, Xiaobo · Rui, Huang · Gang, Xing · Dong, He · Zhou, Yipeng · 吴忠彬 · 冉晨鑫

ACS Energy Letters 2024

具体参数

缺陷密度

{'zh': '5.68×10^12', 'en': '5.68×10^12'} cm^-3

电荷迁移率

{'zh': '10.1', 'en': '10.1'} cm^2 V^-1 s^-1

晶粒尺寸

{'zh': '36.63±12.24', 'en': '36.63±12.24'} μm

厚度

{'zh': '12', 'en': '12'} μm

比探测率

{'zh': '10^10', 'en': '10^10'} Jones

技术优势

缺陷密度大幅下降

准单晶厚膜缺陷密度低至5.68×10^12 cm^-3，远低于旋涂多晶薄膜常见水平，有利于抑制载流子复合。

载流子迁移率高

电荷迁移率达到10.1 cm^2 V^-1 s^-1，有助于光生载流子的快速收集，提升器件响应速度。

自驱动即可工作

光探测器无需外加偏压即可工作，在0.1 V低偏压下表现出10^10 Jones的比探测率。

应用场景

• 钙钛矿光探测器：作为光活性层直接集成，实现高性能光探测器。
• 自驱动光探测：无需外加电源即可实现光探测，简化器件结构。
• 无铅光电器件：用锡基材料替代铅基，降低环境毒性。
• 光电传感：高迁移率和低缺陷提升光电传感的灵敏度和速度。