插损低至1.13 dB/端
双波导边缘耦合器在120 µm内实现高约束波导与光纤的模式转换，解决了厚Si₃N₄波导小模场与光纤严重失配的难题。
Zilong, Tian · Ziyang, Xi · 马鹏飞 · 张涛 · 72079767 · Miao, Runlin · Yang, Dongsheng · Tan, Yinlong · 江天
Optics and Laser Technology 2026
最小光纤-芯片-光纤插损2.26 dB，对应每端1.13 dB，耦合效率77.1%。
在1500–1590 nm窗口内，有效端面损耗相对于最小值变化小于1 dB。
输出侧TE偏振3-dB对准半宽在水平和垂直方向分别约为±1.6 μm和±1.3 μm。
耦合器总长仅120 μm，适合片上集成。