莫尔条纹相位分析混合架构

抗噪鲁棒性优于现有方法

结合Vision Transformer多头注意力与深度特征提取，在含高斯噪声和倾斜状态下仍能准确预测莫尔条纹包裹相位，适用于高精度套刻对准。

Dajie, Yu · 刘俊伯 · Jin, Chuan · Yuyang, Li · Kairui, Zhang · Ji, Zhou

IEEE Photonics Journal 2025

参数信息

均方根误差

6-7 nm

结构相似性指数

0.70

峰值信噪比

36

技术优势

抗噪鲁棒性更强

混合架构即使在高斯噪声和倾斜状态下，RMSE仍能保持在6-7 nm，相比现有相位提取技术有显著优势。

结构更高效

模型结构经过优化，能更高效地从复杂莫尔条纹图案中提取相位信息。

应用场景

• 光刻套刻对准：集成到光刻对准系统，提高套刻精度和抗噪能力。
• 精密位移测量：从莫尔条纹相位中提取亚纳米级位移信息。
• 光学相位分析：取代传统相位提取算法，提升复杂图案的分析效率。