N型LAM忆阻电路

复现多种放电模式

用单个N型局部有源忆阻器替换隧道二极管，电路即能复现丰富的神经形态放电行为，适合紧凑型神经形态硬件。

于全 · Yujian, Fang · 武花干 · Bao, Han · 王宁

Chaos, Solitons and Fractals 2024

技术优势

放电模式丰富

同一电路既能产生爆发行为，也能产生尖峰行为，包括准周期和混沌模式，无需更换硬件。

刺激频率可切换模式

低频刺激触发爆发，高频刺激触发尖峰，为按需选择神经元响应提供了简单手段。

硬件验证有效

数值仿真与硬件电路测量结果相互印证，表明该电路在实际器件中能稳定工作。

应用场景

• 神经形态计算：用单个忆阻电路替代复杂神经元模型，生成多样脉冲用于计算。
• 脑机接口：按需产生爆发或尖峰信号，模拟神经编码驱动接口。
• 可穿戴医疗设备：以低功耗电路产生神经样刺激波形，用于微型治疗设备。