CZTSSe光电突触忆阻器

可逆整流阻变切换

在同一器件中集成选择器与忆阻器功能，既能抑制阵列寄生电流，又能模拟多种突触可塑性，并支持从可见光到近红外的光调控。

Yang, Fengxia · Hao, Sun · Xiang, Zhang · Chen, Dandan · 陈建彪 · 张旭强 · Chen, Jiangtao · 赵雲 · Yan, Li

Advanced Functional Materials 2025

具体参数

开关比范围

{'zh': '2.2×10²–5.1×10³', 'en': '2.2×10²–5.1×10³'}

复位电压

{'zh': '0.52–0.06', 'en': '0.52–0.06'} V

整流比

{'zh': '>10³', 'en': '>10³'}

技术优势

无需外接选择器

器件本身具有自整流特性，整流比>10³，可在阵列中直接抑制寄生电流。

阻变模式可切换

可在双极阻变和自整流模式间可逆切换，同一器件既作选择器又作忆阻器。

光可调复位电压

近红外光照射下复位电压从0.52 V降至0.06 V，利于低功耗操作。

应用场景

• 忆阻器阵列：自整流特性抑制寄生电流，适合高密度集成。
• 神经形态计算：电/光刺激下模拟多种突触可塑性，可用于类脑计算。
• 近红外探测：光响应覆盖近红外，可用于弱信号探测。
• 安全加密器件：复位主导特性可用于物理不可克隆加密。