零功耗近极限
利用质子迁移与界面自配位掺杂,同时实现非易失存储和接近零功耗的突触器件,突破了超低功耗与电导非易失调制之间的能垒悖论。
Liu, Shuzhi · He, Zhilong · 张斌 · Xiaolong, Zhong · Bingjie, Guo · Chen, Weilin · Hongxiao, Duan · Yi, Tong · Haidong, He · 陈彧 · 刘罡 · He, Haidong
Advanced Science 2023
调制功耗低至16.25 pW,读取功耗仅6.5 fW,使突触操作能耗逼近零极限。
通过质子在分子能隙中引入新能级,实现64个连续电导态,保持时间超过30分钟,无需持续供电维持状态。
器件在超低功耗下展现SRDP和STDP特性,且经过100次LTD/LTP循环后权重波动仅为0.14%/0.30%,循环稳定性优异。