SnS/SnSe₂异质结光电探测器

快响应高探测率

基于范德华p-n异质结的可见-近红外光电探测器，响应速度比同类硒化锡基器件快一个数量级。

Xinfa, Zhu · Weishuai, Duan · Meng, Xiancheng · Xiyu, Jia · 张勇辉 · 周鹏宇 · 王蒙军 · Hongxing, Zheng · 范超

Journal of Semiconductors 2024

具体参数

响应度

{'zh': '4.99 × 10³', 'en': '4.99 × 10³'} A·W⁻¹

响应时间

{'zh': '3.13', 'en': '3.13'} ms

光谱响应范围

{'zh': '405 – 850', 'en': '405 – 850'} nm

技术优势

响应速度快一个数量级

SnS/SnSe₂器件响应时间3.13 ms，异质结内建电场加速载流子分离，比已报道的SnSe₂器件快一个数量级以上。

无需复杂集成

通过PDMS辅助转移法制备，避免晶格匹配限制，可在室温下实现任意衬底上的异质结集成。

应用场景

• 近红外成像：405–850 nm宽带响应与高探测率，可提升成像对比度和帧率。
• 光通信探测器：ms级快响应适合接收高速调制光信号。
• 宽带光电探测：单器件覆盖可见-近红外，替代多探测器组合。