晶格工程增强发射
通过Ge/Si阳离子取代将Eu2+更有效掺入晶格，实现近红外发光强度翻倍，突破卤氧化物荧光粉效率限制。
Zhao, Qianqian · Wenqi, Xia · Longsheng, Du · Du, Feng · Leng, Zhihua · 谢会东 · 唐作彬
Advanced Functional Materials 2024
Ge/Si 取代增加了 Eu2+ 进入晶格的比例，显著提高了发光中心数量。
晶格工程降低了非辐射能量传递，使量子效率从 15% 提升至 26%。
荧光粉在 450 nm 蓝光激发下产生 500–950 nm 连续宽带近红外光，覆盖多个应用所需波段。