无转移PdSe₂压阻薄膜

灵敏度十倍多晶硅

直接在SiNx膜上低温生长的PdSe₂多晶薄膜，省去转移步骤，应变灵敏度高且工艺兼容MEMS。

Yimin, Gong · Liwen, Liu · 张瑞 · 林劼 · Yang, Zhuojun · Wen, Shaofeng · 尹伊 · 兰长勇 · 李春

Nanotechnology 2024

参数信息

应变系数

-43.3

压力灵敏度

3.9e-4 kPa⁻¹

电压灵敏度

1.04 mV·kPa⁻¹

响应时间

97 ms

输出电压变化

8.1 mV

技术优势

无需转移

PdSe₂薄膜在SiNx膜上原位生长，避免了转移造成的性能损失和工艺复杂性。

灵敏度高十倍

7.9 nm厚PdSe₂薄膜的应变系数为-43.3，比多晶硅的典型值大一个数量级，使传感器更灵敏。

低温可制备

等离子体辅助硒化在200 ℃即可完成，与CMOS工艺兼容，便于单片集成。

热稳定性好

传感器在25–55 ℃范围内输出电压变化仅8.1 mV，温度漂移小，无需额外补偿。

应用场景

• MEMS压力传感器：省去转移步骤，可直接在硅基上制造压阻式压力传感器。
• 精密差压测量：高灵敏度满足0–60 kPa差压范围内的精密测量需求。