AlGaN多量子阱

UVC激光阈值创新低

高质量AlGaN多量子阱外延结构，以其低缺陷密度和高内量子效率，使UVC垂直腔面发射激光器的阈值创纪录降低。

Zheng, Zhongming · 王宇昆 · Hoo, Jason · Guo, Shiping · 梅洋 · 龙浩 · 应磊莹 · 郑志威 · 张保平

Science China Materials 2023

参数信息

量子效率高

62 %

UVC VCSEL

277.64 nm

最低阈值

0.79 MW cm⁻²

技术优势

多量子阱边缘位错密度约10⁸ cm⁻²