硅上铁电突触

Zheng, Ningchong; Zang, Yipeng; Li, Jiayi; Cong, Shen; Jiao, Peijie; Lunqiang, Zhang; Wang, He; Han, Lu; Liu, Yuwei; Ding, Wenjuan; Yang, Xinrui; Leyan, Nian; Ma, Jianan; Jiang, Xingyu; Yin, Yuewei; Xia, Yidong; Deng, Yu; Wu, Di; Li, Xiaoguang; Pan, Xiaoqing; Nie, Yuefeng

硅上铁电突触

纳秒写入、百万次耐久

通过湿法转移将超薄自支撑钙钛矿氧化物铁电薄膜直接集成到硅晶圆上，实现了高性能铁电隧道结突触器件，为硅基神经形态计算提供新途径。

Zheng, Ningchong · Zang, Yipeng · Li, Jiayi · Cong, Shen · Jiao, Peijie · Lunqiang, Zhang · Wang, He · Han, Lu · Liu, Yuwei · Ding, Wenjuan · Yang, Xinrui · Leyan, Nian · Ma, Jianan · Jiang, Xingyu · 尹跃伟 · 夏奕东 · Deng, Yu · 吴迪 · 李晓光 · Pan, Xiaoqing · 聂越峰

Advanced Functional Materials 2024

具体参数

模拟识别准确率: 98.9 %

技术优势

ON/OFF比高达1.2×10⁶

写入/擦除速度低至1纳秒

循环耐久性>10⁶