铁电梯度掺杂二碲化钼器件

单片12功能 · 亚毫秒重构

在单栅极全固态结构中融合非易失存储、神经形态可塑性与多种存内逻辑运算，以简单的器件架构实现功能密度的大幅提升。

Peng, Ruixuan · Jiayuan, Chen · Zhao, Bochen · 张博轩 · Wu, Yonghuang · Shi, Run · Liu, Yiqun · Li, Zonglin · Guo, Jing · Pan, Ting · Ma, Jing · 沈洋 · 刘凯

Advanced Materials 2026

参数信息

非易失存储开关比

10⁶

基本逻辑运算开关比

10³

复杂逻辑运算开关比

10³

技术优势

单片集成12种功能

单栅极全固态结构中集成非易失存储、同/异突触可塑性和多种逻辑运算，大幅减少电路所需器件数量。

存储开关比超过百万

非易失存储操作开关比超过10⁶，提供足够大的读取窗口。

保持时间长达10⁷秒

非易失存储保持时间达10⁷秒，具备长期数据保存能力。

应用场景

• 存算一体芯片：单片集成多种存内逻辑运算，减少数据搬运，提升能效。
• 神经形态计算：兼具同/异突触可塑性，一个器件即可模拟多种突触行为。
• 非易失存储器：开关比高、保持时间长，适合高可靠数据存储。
• 可重构逻辑器件：亚毫秒重构切换多种逻辑功能，替代固定逻辑电路。