挠曲电挥发性忆阻器

Deng, Menghan; Gao, Zhaotan; Lin, Wang; Hou, Zhangchen; Xu, Xionghu; Li, Chen; Cui, Anyang; Jiang, Kai; Shang, Liyan; Zhu, Liangqing; Li, Yawei; Zhang, Jinzhong; Hu, Zhigao

挠曲电挥发性忆阻器

开态关态 10⁵ 倍

一种横向二维材料忆阻器，利用弯曲原子层叠结构产生的挠曲电效应实现稳定的模拟阻变行为，无需成型操作即可工作。

Deng, Menghan · Gao, Zhaotan · Lin, Wang · Hou, Zhangchen · Xu, Xionghu · Li, Chen · Cui, Anyang · Jiang, Kai · Shang, Liyan · Zhu, Liangqing · Li, Yawei · Zhang, Jinzhong · Hu, Zhigao

Nano Today 2024

具体参数

良率: 97 %
循环间差异: 7.4 %

技术优势

电流开关比约 10⁵

免成型操作