MXene/TaOx双层忆阻器

15个月后10⁴次耐久

通过异质界面工程同时实现高阻变比、超长保持和低非线性突触行为，克服MXene自由电子导电限制。

朱明敏 · 79391443 · Liangyu, Chen · 79391444 · Song, Guangxiao · 董文静 · 74295701 · Qiu, Yang · Yu, Guoliang · Wei, Wang · 井绪峰 · 朱海斌 · Zhou, Hao-Miao

Carbon 2026

参数信息

开关比

240

电阻保持时间

10⁴ s

耐久性

10⁴ cycles

LTP非线性度

0.39

LTD非线性度

3.15

对称性

6.57

手写数字识别准确率

94.57 %

技术优势

存储15个月还能用

器件在15个月存储后仍保持稳定的阻变行为，并经受超过10⁴次循环，表明优异的长期稳定性和耐久性。

突触线性度好

作为突触器件，其LTP/LTD非线性度低至0.39/3.15，对称性为6.57，接近理想线性更新，有利于高精度神经网络训练。

应用场景

• 忆阻器阵列：用该器件构建高密度忆阻器阵列，实现存算一体。
• 神经形态计算：模拟生物突触可塑性，用于神经形态计算。
• 边缘计算芯片：凭借低功耗和稳定性，可用于边缘计算硬件。
• MXene电子器件：展示MXene在忆阻器中的潜力，推动MXene电子器件发展。