硅基垂直注入
通过电化学剥离获得自支撑微带，低温直接键合至硅衬底，实现片上垂直注入蓝光LED。
王辉 · Peishan, Li · Zexin, Dong · Yang, Yuqing · Huan, Chang · He, Chenguang · Wang, Qiao · 陈志涛 · Zhang, Kang · 王幸福
Journal of Materials Chemistry C 2024
采用电化学剥离获得自支撑InGaN/GaN微带，再通过直接键合转移到硅上，避免了直接在硅上生长氮化物的困难。
整个流程仅包含电化学剥离和直接键合，无需复杂外延设备，为III-V器件在硅上的集成提供了低成本方案。
利用高导电硅衬底和微带形成垂直注入结构，载流子直接纵向注入有源区，有利于提高电流均匀性和发光效率。
微带端面发射465 nm光，具有单向波导特性，光从端面定向输出，有利于与波导或光纤耦合。