抗硅蒸气石墨

孔隙率10.5%

通过孔径调控与界面键合工程，在硅蒸气渗透下实现更低的渗透深度，延长SiC晶体炉坩埚寿命。

Xueyao, Feng · Hailiang, Huo · Zeyu, Wang · Zheng, Lei · Xiaohui, Guo · Zhao, Hongchao · 郭全贵 · 刘占军 · 赵红超

Journal of Alloys and Compounds 2024

参数信息

孔隙率

12.8 %

孔隙率

10.5 %

GCAS

170 μm

技术优势

紧密键合界面硅蒸气沉积可忽略